在刚刚结束的第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD），云镓半导体CEO Jason Jiang 博士代表云镓半导体做口头报告。报告所发布论文是国内Fabless首次入选ISPSD氮化镓功率器件环节的会议论文---900V E-mode GaN-on-Si 器件技术的口头报告 (oral presentation)，代表了中国的功率半导体企业也可以实现极具创造力的器件设计能力，具备超车国际知名半导体企业的潜力。该 900V GaN 技术有望用于三相电表、高压辅源、OBC 等应用场景以及电网波动较大的地域如印度电网等。

云镓半导体自成立以来，高度重视 GaN 产品的技术创新，并搭建了一整套完备的器件设计、测试表征、可靠性验证与系统应用平台，成为少有的具备全建制能力的设计公司。本次云镓半导体受邀出席会议，发布公司最新的技术研究成果，并与国际上该领域的顶级单位如 TI、Infineon 等进行了深入交流，同时向同行、客户以及上下游合作伙伴展示最新产品与技术进展。



关于 ISPSD

2024年6月2日至6日，第36届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）在德国不来梅成功举办。作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的顶级学术会议，被认为是功率半导体器件和功率集成电路领域的奥林匹克，历史上电力电子器件领域的重大发明和技术进展大多在这个会议上首次发表，历年大会都会汇聚众多功率器件领域的龙头企业。第37届 ISPSD 会议将在2025年6月1日在日本熊本召开，我们明年见！