龙年“镓”速度 | 云镓半导体推出650V GEN-2平台产品，树立行业新标杆
夯实基础 , 基于GEN-1器件平台实现全面量产出货
在过去的一年，云镓半导体陆续完成了齐全的氮化镓产品货架开发，导通内阻覆盖30mΩ~1200mΩ范围，产品形态包括单管、控制器合封、单边驱动合封以及半桥驱动合封。应用领域覆盖消费电子、工业电源及车载电源等领域。
厚积薄发 , 依托GEN-2器件平台树立行业新标杆
随着GaN在以快充为代表的消费应用领域迅速走红，消费类市场已全面向GaN敞开。然而，以数据中心、再生能源等为代表的工业类市场虽然需求增长迅速，市场前景广阔，但其相对苛刻的行业门槛、更高的技术壁垒以及更加严格的质量标准，阻挡了大部分GaN器件从业者的脚步。
基于该行业痛点，云镓半导体从创立伊始就着手布局工业类平台，在2024年新年伊始，陆续推出650V GEN-2平台产品。聚焦导通电阻RDS(on) 为15~100mΩ范围的低导阻、大功率应用，通过器件设计与工艺平台的共同优化，将功率器件关键性能参数Ron,max*Qg以及Ron,max*Qoss优化将近20%，较好解决了导通损耗与驱动损耗、开关损耗的trade-off问题。同时基于更优化的走线方案以及工艺制程升级，管芯面积缩减超~40%，大大增加了每片晶圆可获取的GaN管芯的数量，降低了单颗器件的成本。
第一批推出的产品为4种导通内阻规格的分立元件：650V/30mΩ (typ. 24mΩ)、50mΩ (typ. 36mΩ)、70mΩ (typ. 50mΩ) 和190mΩ (typ. 150mΩ)。在封装形式上，除了常规的DFN封装, 云镓半导体还会提供更适合大功率工业应用场景的TOLL (TO-Leadless) 以及TOLT (顶部散热）封装，通过提升热性能，进一步提升器件功率密度及效率。值得一提的是, TOLT通过框架翻转，将裸露的散热金属布局在器件顶部，有效降低热阻RthJC及RthJA，提升器件功率密度及效率。而节省的PCB背面面积则可用于走驱动信号，进一步减小驱动回路寄生，提升系统性能。
同时云镓半导体还积极投入车载领域的器件预研，预计在 2024Q1 推出 650V/12mΩ 大电流芯片，敬请期待。
