前言

在刚刚结束的ISPSD2024征稿评比中，云镓半导体以唯一工作单位独立参加氮化镓子领域投稿，在不到10%的口头报告录取率的激烈角逐下，成功入围1篇口头报告，再次印证云镓团队的技术水平与创新能力。

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云镓半导体研发总监唐高飞博士将出席大会，并作关于900V E-mode GaN-on-Si器件技术的口头报告 (oral presentation)。报告所发布论文是国内Fabless首次入选ISPSD氮化镓功率器件环节的会议论文，代表了中国的功率半导体企业也可以实现极具创造力的器件设计能力，具备超车国际知名半导体企业的潜力。

云镓半导体自成立以来，高度重视氮化镓产品的技术创新，并搭建了一整套完备的器件设计、测试表征、可靠性验证与系统应用平台，成为少有的具备全建制能力的设计公司。本次云镓半导体受邀出席会议，将发布公司最新的技术研究成果，并与国际上该领域的顶级权威学者和产业专家深入交流，同时向同行、客户以及上下游合作伙伴展示最新产品与技术进展。

 

关于ISPSD

ISPSD会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的顶级学术会议，被认为是功率半导体器件和功率集成电路领域的奥林匹克，历史上电力电子器件领域的重大发明和技术进展大多在这个会议上首次发表，历年大会都会汇聚众多功率器件领域的龙头企业。第36届ISPSD将于2024年6月2日至6日在德国不来梅召开。

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